2月25日，北京邮电大学那边传来了个好消息，吴真平教授带着他们的团队，还有香港理工大学和南开大学一起搞出来的新东西——他们验证了一个特别牛的东西，叫“宽禁带半导体氧化镓”，在常温下居然有了铁电性。这事儿在国际上都是很有分量的突破。 现在做集成电路和芯片，材料特别关键，氧化镓这种新一代的材料因为禁带特别宽、抗穿能力强，本来就很被看好，特别是用在高功率电子器件和日盲探测上。但它一直有个难题：要想让它像U盘那样能存数据（铁电性），这太难了。 面对这个挑战，北邮团队用了一种工业上常用的MOCVD技术，成功做出了纯相外延薄膜，而且还找到了它在室温下有铁电性能的铁证。实验里他们观测到了稳定的铁电翻转现象，测出的开关比和循环耐久性都特别好。 说白了，就是证明了在不破坏化学键的前提下，宽禁带半导体照样能通过结构相变实现铁电功能。这事儿也给以后的半导体技术指明了新方向：只靠氧化镓这一种材料平台，就能同时满足高功率、高耐压和非易失性存储的需求。这对于在极端环境下搞多功能集成的信息器件来说，那是相当重要的材料基础和设计思路。