问题——关键工艺受制约与“从0到1”的长期攻关 半导体材料与器件制造中，分子束外延等外延生长工艺是高端芯片、红外探测器和激光器的重要基础；长期以来，对应的核心技术曾被严格限制。如何在设备不足、基础薄弱的条件下实现自主突破，直接关系到夜视、制导、环境监测等领域的产业链安全与应用能力。李爱珍的科研经历，集中展现了我国在关键工艺领域从追赶到接近并跑的艰难过程。 原因——国家需求牵引与科研人员“耐住冷板凳” 李爱珍1936年出生，1958年毕业于复旦大学化学系，随后进入中科院上海相关研究机构工作，逐步确立半导体材料与外延生长为主要研究方向。上世纪80年代初，她赴美访学接触到当时国际先进的分子束外延技术。回国后，面对国内设备基础薄弱、工程体系尚不完善的现实，她组织团队坚持自力更生推进实验平台建设，围绕固态源、气态源外延生长等关键环节反复攻关，逐步补齐工艺链条与测试评价能力。相关实践也说明，重大突破往往不是一蹴而就，而是在国家需求牵引下，依靠长期投入、团队协作与科研人员持续深耕逐步积累而来。 影响——科研成果走出实验室，服务国防与民生应用 据公开资料，李爱珍团队在分子束外延平台建设、器件研制与工程化上取得多项进展：推动建设高水平外延生长实验室与生产线，突破中红外半导体光源等关键技术，相关器件国防和民用场景中具备应用价值。更重要的是，这些成果把“可用的技术”沉淀为“可复制的体系能力”，在人才梯队、工艺规范、测试标准各上形成持续输出，为后续太赫兹等前沿方向拓展打下基础。她本人获得多项国家级与省部级科技奖励，发表论文、申请专利并培养多名科研骨干，表明了从基础研究到应用转化的系统性贡献。 对策——完善评价导向，给长期攻关更多制度耐心 值得关注的是，李爱珍曾多次参与学术荣誉评审遴选但未能入选。业内普遍认为，此现象需要结合当时学科布局、评价规则与人才结构来理解：一上，半导体材料与外延工艺交叉性强，评审中可能存专业覆盖不足、对“冷门但关键”方向认识不够的问题；另一上，不同阶段对年龄、推荐等条件的制度性约束，也可能在客观上压缩部分长期攻关型科研人员的参评机会。面向未来，更完善以创新价值、能力贡献与实际影响为核心的评价体系，提升交叉学科评审的专业覆盖度，并建立面向关键核心技术攻关的长期稳定支持机制，有助于让更多“做难而正确的事”的团队获得持续动力与资源保障。 前景——以自主可控为目标，推动基础研究与工程化协同 当前，科技与产业变革加速推进，关键核心技术竞争更趋激烈。半导体领域既需要原始创新，也离不开工艺工程化与产业协同。李爱珍长期坚守一线、重视平台建设与人才培养的经验启示在于：科研组织要从“单点突破”升级为“体系作战”，在重大任务牵引下打通产学研用；坚持开放交流的同时，把核心工艺、关键装备与材料体系牢牢掌握在自己手中；支持科学家把时间真正投入实验室与工程现场，让“十年磨一剑”的耐心成为制度常态。随着我国在材料、装备、工艺与应用端联合推进，分子束外延、中红外光源、太赫兹器件等方向仍有持续突破空间，也将为国家安全与高端制造提供更稳固的支撑。
李爱珍用一生坚守科研一线，以韧性和专注诠释了科学家的责任。她的经历表明，成就不只体现在个人荣誉，更体现在把关键能力留在国家需要的地方。向这位长期深耕的科研工作者致敬，也期待更多青年科研人员脚踏实地、持续投入，以科技创新推动国家发展。唯有汇聚合力、长期坚持，才能在全球科技竞争中不断提升中国的实力与影响力。