2026年3月23日，这个普通的日子因为中国科学院院士、微电子科学家吴德馨的逝世而变得不同寻常。这位女科学家1936年出生在河北乐亭县，1961年从清华大学无线电电子工程系毕业后，便投身于中国科学院微电子研究所的研究工作。1991年，她当选为中国科学院院士，这一荣誉标志着她在微电子领域的卓越贡献。吴德馨同志因病医治无效在北京离世，享年90岁。她的逝世让无数科研工作者为之惋惜。在她的职业生涯中，吴德馨多次突破了LSI的限制。20世纪60年代初，她把提高开关速度的方案变成了现实，并广泛应用于全国。这个时代里她带领团队首次研究成功硅平面型高速开关晶体管。到了60年代末期，他们又成功地把介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路研制出来。70年代末的时候，吴德馨给国内带来了MOS4K位动态随机存储器，还把正性胶光刻和干法刻蚀技术引入到大规模集成电路研制中，提高了成品率。吴德馨率先突破了LSI低下的局面。 1980年代末期是她事业的高峰期，这个时候她自主开发成功了3微米CMOSLSI全套工艺技术，还有VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。20世纪90年代，吴德馨又把0.8微米CMOSLSI工艺技术研究成功了，并且还有0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件。 吴德馨把一生都献给了中国微电子事业的发展。她用自己的智慧和汗水给我国微电子技术发展带来了革命性变化。 她不仅是一位杰出的科学家还是一位爱国者，她用实际行动诠释了什么是爱国精神。 现在她走了 但她的精神将永远激励着我们继续前进。 愿吴德馨同志一路走好！