英伟达今年又搞大动作，打算下场自己做存储。既然是AI时代，存算一体肯定成了必然趋势。2026年的时候，市场情况特别紧张，不光是HBM还有NAND闪存，基本都处于缺货状态。这次他们不光找三星合作搞铁电NAND，还直接参与到研发当中，这招挺狠的。 这个铁电NAND被寄予厚望，说是能同时解决两个大难题：芯片不够用和数据中心太费电。据说是能把功耗降低96%，层数堆到1000层，简直是天方夜谭。不过Omdia的数据也摆着呢，2022年NAND的供货量其实是最高的，到了今年就要跌下去，以后就算恢复也没法满足需求。现在的情况就是供不应求，价格涨得离谱，光是第一季度环比涨幅就到了90%。 英伟达打算在下一代AI加速器“Vera Rubin”里用上叫“ICMS”的新型NAND，光这一个型号需要的量就占全球总量的9.3%。再加上电力问题也越来越严重，国际能源署说今年的耗电量就要激增到550太瓦时。要是这两个坎儿过不去，英伟达的加速器供应可能就断了，客户的成本压力也会大增。 为了应对这些麻烦，英伟达一直在砸钱搞新技术。比如3月2日给Lumentum Holdings和Coherent投了40亿美元（合275亿人民币），之前还打算建个“英伟达加速量子研究中心”。这次和三星搞铁电技术合作，其实就是为了提前拿到新技术底牌。 铁电材料有个特点就是不用高压就能保持状态。现在的芯片主要用硅材料要高电压才能处理信息。要是换成铁电材料，电压需求大大降低，还能更密集地堆叠芯片。为了充分发挥这些优势，三星和英伟达开发了个AI算法能让分析速度提高一万倍。 业内消息说三星现在的NAND堆叠已经有两三百层了，正全力攻关1000层的技术。去年年底还展示了低功耗铁电晶体管产品呢。韩国知识产权局的数据也能说明问题：在铁电领域三星的专利申请数量最多达255项占了27.8%，中国的北京大学上个月也搞出了全球最小的1nm铁电晶体管。 除了铁电NAND以外，三星和SK海力士还在研究基于HBF的技术。大家都在抢赛道啊！转自：IT之家参与“2025-2026年度第九届中国IC独角兽评选”。