英特尔的18A制程这次真的不是什么宣传噱头，实测出来的M0间距只有36nm，根本达不到宣传里的32nm。看来英特尔为了良率还是把一些关键技术给让步了。IT之家今天放出的消息显示，分析师jukan05曝光了一份关于英特尔Panther Lake的技术分析报告，详细拆解了第一款18A工艺的CPU。从这次曝光来看，18A在早期量产阶段其实挺吃力的，良率爬坡还得花不少时间。 先说说芯片的物理尺寸，Panther Lake的Die size大概在110mm²左右。这次不管是逻辑芯片还是SRAM部分，英特尔统统用的是高性能的HP库，这种库主要是为了速度快。具体到逻辑部分，用的是G50H180规格，SRAM单元面积也符合之前的说法。在金属间距上，最小的M0线只有36nm。虽然18A宣称HD库能做到32nm间距，但那是用H160那种高密度库才能达成的。和一般做法不同的是，18A里的HD和HP库虽然都是5个鳍片，但间距不一样，HD库32nm而HP库36nm。 再看看后端金属层设计，FS段一共有15层，BS段则是6层。其中BM5层其实就是重分布层RDL。这还不算最显眼的变化，最大的看点是GAA全环绕栅极晶体管的间距。逻辑部分的栅极间距实测是76nm，SRAM位线间距却只有52nm，这差异大得很。这其实是技术上的妥协造成的。 关键尺寸CD还没公布没法推算出具体数值。关于背面供电的Power Via技术，英特尔早就说过这次的SRAM没用这一套。Power Via就是在GAA结构之间打个孔通电源，但这要求GAA间距得足够大才行。业内认为如果在SRAM里用这个技术光多出来的间距就能让单元高度增加1.1倍。官方解释是背面供电对SRAM收益不大，但根本原因还是因为做不到。 好在这个问题到了14A节点就有救了。14A要换用BSCON技术直接从背面接到源极头上去，这下就不用看GAA间距的脸色了。到时候14A的SRAM肯定能用上Power Via技术。材料方面MEOL的接触孔和BEOL的V0/V1层现在还是用的钨而不是传闻中的钼。M0层用的是铜以后的14A节点可能会用钼吧。 还有一个变化是18A的GAA结构已经配上了内部间隔层Inner Spacer。这一点可比三星强多了，三星到了SF3才引入这东西呢。产能这块目前Panther Lake还在爬坡阶段产品都用HP库来保证好做些。 分析师认为就算先不提宣传的32nm间距光看36nm的量产情况稳定下来还得等上一阵子。报告提到18A逻辑GAA间距达到了76nm比中芯国际N3工艺的32nm鳍片间距还大。 这也说明一个道理：GAA工艺和光刻设备没那么大关系哪怕设备受限也能通过扩大间距来迁就设备。不过就算这样英特尔想把量产工艺做好还是挺难的因为半导体难度不只是光刻机还有蚀刻清洗这些更难的步骤这方面其实台积电比英特尔三星强不少呢。