2025年，泽列诺格勒纳米技术中心和白俄罗斯伙伴一起完成了重要的里程碑，把俄罗斯半导体制造历史上第一个全部国产化的光刻机交付了。这个350纳米制程的设备通过官方验收，标志着俄罗斯结束了“完全依赖进口”的时代。这个设备虽然制程只是350纳米，但它却是本土半导体产业链的一个重要起点。供应链、工艺和人才的闭环第一次跑通，为未来的发展打下了坚实的基础。根据计划，2026年将把制程降低到130纳米，同时推动供应链的本地化。这次突破性进展不仅显示了俄罗斯的技术实力，也给全球半导体行业带来了新的希望。 在2036年，俄罗斯打算跳过DUV浸没式路线，直接向EUV发起冲击。他们选择了一种不同的方案，即11.2纳米波长的氙气等离子体结合固态激光技术，镜面材料选用钌铍合金。这个方案的优势是显而易见的：避免了锡碎屑清理环节，维护成本大幅降低；设备结构简化，研发与制造难度降低；能量转化效率还有提升空间。俄罗斯的研发路线被划分为三个阶段：2026年至2028年是40纳米双镜系统；2029年至2032年是四镜系统并扩大曝光场区；2036年是六镜系统实现亚10纳米制程。这个时间表看起来激进，但背后是俄罗斯人稳扎稳打的努力。 他们用“笨功夫”补齐了短板：持续提升多层镜反射率并进行新材料试验；通过万次循环测试确保氙气光源稳定性；在等离子体模型里跑通光学对准算法。产能目标从每小时几片逐渐增加到上百片，曝光场区也从3毫米扩展到全尺寸。整个过程没有急于求成，而是把复杂的问题拆分成可量化的小目标一步步完成。 回顾历史，苏联科学院光电子研究所在上世纪七十年代就开始探索EUV光刻原理，并率先突破了多层镜制造方法。这项技术被荷兰和日本后续厂商引用，成为全球首台商用EUV扫清早期技术障碍的关键因素之一。他们积累了同步辐射加速器、准分子激光等等离子体光源方面的经验，成为了隐形资产。 这种“老底子”加上“新攻关”的组合拳证明了一个道理：只要节奏务实、供应链本地化、工艺迭代闭环，从低端场景落地到高端节点追赶完全可行。这个成功案例给中国、俄罗斯、日本以及其他国家都带来了启示：在面临“卡脖子”问题时必须牢牢掌握核心环节。 2028年到2032年这段时间里，俄罗斯会继续深化他们在EUV领域的研究和开发工作。他们会进一步优化设备性能并提升产能每小时上百片的目标。同时他们还会通过优化算法和改进材料等方式来提高套刻精度锁定在2纳米以内。 这个时间表显示出俄罗斯对自主可控技术发展的决心和信心。他们不仅在本土建立了泽列诺格勒纳米技术中心这样重要的研发基地还给白俄罗斯这样的伙伴国家提供支持共同发展。 总结起来就是： 2025年 泽列诺格勒纳米技术中心与白俄罗斯伙伴成功交付350纳米节点的全国产化光刻机； 2026年 预期制程将降至130纳米并推动供应链本地化； 2028年至2032年 研发工作将推进至四镜系统并扩大曝光场区； 2036年 六镜系统将实现亚10纳米制程并锁定2纳米套刻精度产能每小时上百片。 苏联科学院光电子研究所在上世纪七十年代就开始探索EUV光刻原理并取得重要突破； 荷兰和日本后续厂商引用了苏联多层镜制造方法； 俄罗斯积累了同步辐射加速器、准分子激光等等离子体光源方面的经验成为隐形资产； 俄罗斯人用“笨功夫”补齐短板：多层镜反射率提升、新材料试验、氙气光源稳定性测试等； 产能目标从每小时几片逐渐增加到上百片； 曝光场区从3毫米扩展到全尺寸。 中国、俄罗斯、日本以及其他国家都应该从这个案例中得到启示：在面临“卡脖子”问题时必须牢牢掌握核心环节。