最近SK海力士在HBM4这块儿动静挺大，搞出了个全新的封装技术，这一招没准儿能打破之前的性能瓶颈。其实是三星和SK海力士在拼HBM4的霸主地位，2048个I/O接口让带宽飞起来了，可这密度上去了，信号干扰和供电这两个难题就变得棘手了。SK这次是想了个狠招：把DRAM层加厚、把层间距压得更紧。这样既能提升整体的稳定性，还能在不增加总体厚度的情况下把供电效率提上去，这对数据传输速度和降低能耗都有好处。不过坏处就是模塑底部填充材料（MUF）注入的时候可能不太稳定，容易出缺陷。为了应对这个问题，SK在研发新的封装技术，核心就是要保住良率。内部测试结果现在挺让人欣慰的，如果这项技术真的能商用成功，那以后HBM4跟后续产品就都能缩小间距、突破瓶颈了。 IT之家今天报道了这个消息，说是由AI智能生成的内容。据韩媒ZDNet透露，三星电子还有SK海力士都在想方设法搞技术变革，看谁能先把市场抢下来。制约HBM4性能的关键其实就在于I/O数量翻了一番达到2048个，虽然带宽是上去了，可密集的线路走线也让信号干扰的风险变高了。而且电压传输这一块也很头疼，底层逻辑芯片想给顶部的DRAM层供电变得复杂了很多。