为了突破超大尺寸制造的壁垒，硅来半导体成功把12英寸碳化硅激光剥离设备批量交付了。武汉帝尔激光科技股份有限公司这次注资硅来半导体（武汉）有限公司，让集邦化合物半导体也纷纷看好。这款由华中科技大学研发团队核心贡献的设备，自主创新出了莫氏硬度高达9.5的SiC单晶处理工艺。它采用了SOC组合光源，还加载了自由曲面光路整形技术，在承载更高能量的同时又能避免老化问题。而且，它支持不同电阻率的碳化硅晶体定制加工，对于6、8、12英寸规格都能兼容定位。单台1.2米乘1.4米的设备就能完成切割全工序和自动上下料的流程。 关键的工艺数据显示出了巨大的优势：8英寸单片剥离时间不到15分钟，把传统线切割的效率提升了20到30倍；原料损耗也仅为60到80微米，较传统线切降低了60%；产出效益方面出片量提升了30%，单片成本更是下降了50%。这个项目把技术创新能力强、深耕激光产业多年的优势发挥得淋漓尽致。 因为拥有第三代半导体代表材料碳化硅的独特性能优势——禁带宽度大、熔点高、热导率高——这款设备很快就获得了市场与资本的双重认可。仅仅在不到半年的时间里，硅来就给数十家国内头部碳化硅企业提供了设备支持。通过模块化设计和产业协同，硅来已把设备的批量交付周期缩短到28天，未来还有望进一步缩短至14天。 帝尔激光作为全球领先的企业加入进来进行协同创新后，将进一步巩固硅来在核心赛道的竞争力。此外，公司还把目光投向了硅光芯片核心装备领域，并把自主研发的隐切设备出口到了海外市场。未来，硅来计划继续优化SoC光源、自由曲面光路等核心技术以推动多个领域的技术变革。