问题——先进封装向3D堆叠、2.5D/3D集成与Chiplet方向演进，对垂直互联能力的要求随之提高。TSV作为硅片内部的关键互连通道，直接影响堆叠层数、带宽、能效、散热与可靠性，是高带宽存储及先进封装体系的基础工艺之一。随着高端存储和异构集成加速落地，TSV尺寸、深宽比、均匀性和制造良率上面临更高要求，也更容易成为产业链的薄弱环节。
甬江实验室的这项成果，是技术攻关的阶段性收获，也是国产先进封装工艺走向自主可控的一个切实进展；在高端存储与异构集成竞争持续加剧的背景下，从实验室指标到可量产工艺的跨越，往往比单点突破更具产业价值。随着中试验证与产业转化的推进，这套成套工艺有望在高带宽存储和高性能计算封装领域发挥实质性作用，并带动上下游对应的环节协同成熟。