广东省人民政府办公厅于3月10日正式印发《广东省加快培育发展新赛道引领现代化产业体系建设行动规划（2026—2035年）》（以下简称"规划"），明确将第三代半导体材料的规模化制备与应用列为先进制造领域的核心战略方向，标志着广东抢占全球半导体产业制高点上迈出关键一步； 一、战略部署：六大领域布局五十三条新赛道 规划围绕六大重点领域系统布局53个新赛道，半导体涉及的内容是先进制造领域的核心组成部分。材料层面，规划明确重点推动碳化硅、氮化镓等材料的规模化制备与应用，同步开展氧化镓、氮化铝、金刚石等新型材料及制备工艺的技术攻关；在制造工艺层面，规划提出推进FD-SOI等特色制造工艺研发，并加快异质异构集成、光电混合集成等先进封装技术的规模化应用落地。 规划设定了清晰的阶段性目标：到2030年，全省新赛道培育促进机制初步形成，力争培育多个万亿元级、五千亿元级和千亿元级产业赛道；到2035年，新赛道产业及市场规模突破10万亿元，形成具有全球竞争力的现代化产业体系。 二、产业基础：集聚效应已现 龙头企业率先突破 广东在第三代半导体领域的战略布局并非无源之水，而是建立在扎实的产业基础之上。 在碳化硅领域，广州芯粤能半导体已成为国内领先的车规级碳化硅芯片制造企业，其自主研发的碳化硅MOSFET主驱芯片成功搭载整车800V电驱总成下线，并获得多家汽车品牌定点配套，实现了从技术研发到量产应用的完整跨越，为国内新能源汽车产业链的自主可控提供了有力支撑。 在氮化镓领域，国内头部企业英诺赛科已在珠海高新区设立生产基地，该基地具备国内少有的氮化镓IDM全流程制造能力，覆盖从衬底外延到芯片封测的完整产业链环节。依托此布局，珠海已初步构建起涵盖氮化镓、碳化硅全系列材料的产业生态，相关产品广泛应用于消费电子、新能源汽车及数据中心等高成长性领域。 在重大项目引进上，广州白云区近期落地韩国STI株式会社功率半导体智造基地项目，总投资约124亿元。这一目一期将聚焦功率半导体模块关键材料AMB陶瓷基板的生产制造，后续还将规划建设第三代功率半导体器件与车规级芯片工厂，更完善广东省内半导体产业生态链条。 三、背景分析：全球竞争加剧 广东抢抓战略窗口期 当前，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料，因其在高频、高压、高温环境下的卓越性能，已成为新能源汽车、5G通信、工业电源等战略性新兴产业的核心基础材料，各主要经济体均将其列为重点突破方向，全球产业竞争日趋激烈。 广东作为全国制造业第一大省，拥有覆盖全部31个制造业大类的完整工业体系，在半导体设计、制造、封测及下游应用端均具备较强的产业配套能力。此次规划的出台，正是广东立足自身优势、主动对接国家战略、加快培育新质生产力的重要举措，也是推动全省产业结构从传统制造向高端智造转型升级的系统性安排。 四、前景展望：政策引领与市场驱动形成合力 从规划导向来看，广东此次将第三代半导体材料的规模化应用与先进封装技术研发并列推进，体现出从材料端到应用端全链条协同发展的战略思路。随着新能源汽车渗透率持续提升以及数据中心对高效功率器件需求的快速增长，碳化硅、氮化镓器件的市场空间将进一步打开，广东的先发布局有望在未来五至十年内形成显著的产业竞争优势。 另外——规划所明确的技术攻关方向——如氧化镓、金刚石等下一代宽禁带半导体材料，也为广东在更长周期内保持技术领先预留了战略纵深。
在全球科技竞争日益演变为产业链生态竞争的今天，广东以系统化思维布局第三代半导体赛道——既说明了经济大省的担当——也折射出我国产业升级的路径选择。这场围绕新材料展开的攻坚战，或将重新定义未来十年全球半导体产业的竞争版图。