兆易创新港股上市标志着国产存储芯片设计领域的重要突破。1月13日，这家成立于2005年的无晶圆厂集成电路企业在香港交易所主板挂牌交易，发行价为162港元，首日收盘价达222.8港元，涨幅达37.53%，市值跃升至1567.72亿港元。此次港股融资净额46.10亿港元，公司计划将其中40%用于研发能力提升，35%用于战略性投资与并购，9%用于全球市场拓展。此融资安排充分说明了企业对技术创新和国际竞争力的重视。 兆易创新的成功上市反映了国产存储芯片产业的快速成长。作为中国存储芯片设计领域的龙头企业，兆易创新产品线涵盖NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM、微控制器及模拟传感器芯片等多个关键领域，广泛应用于消费电子、汽车、工业和物联网等战略性产业。根据第三方数据机构弗若斯特沙利文的评估，2024年兆易创新在全球NOR Flash市场占有率达18.5%，位列全球第二、中国内地第一；在SLC NAND Flash领域排名全球第六、中国内地第一；在利基型DRAM和全球MCU市场分别排名全球第七和第八，但在国内市场处于领先地位。 企业业绩增长的背后是市场结构性变化带来的机遇。过去十年间，兆易创新营收复合增长率约为22.45%，2025年第三季度营业总收入达68.32亿元，同比增长20.82%；归母净利润为10.83亿元，同比增长30.18%。这一增长动力主要源于全球存储市场的深刻调整。随着人工智能应用的爆发式增长，国际存储巨头将产能向高端产品倾斜，导致DDR等成熟制程产品供给收缩。兆易创新凭借覆盖DDR3L、DDR4、LPDDR4等产品的利基DRAM产品矩阵，成功抓住了这一市场窗口期。公司预计利基型DRAM及定制化存储业务2025年营收有望实现同比50%增长，未来两年供应仍将处于相对紧张状态。 兆易创新的战略规划体现了长期竞争力的构建。公司表示，对于国内30亿至40亿美元的利基DRAM市场，目标是在未来五年内获得至少三分之一的份额。同时，Flash业务也受益于存储周期改善，SLC NAND产品和NOR Flash均实现涨价。公司将继续推动NOR Flash在工业、汽车、端侧人工智能和海外市场的市场占有率提升，并加强全球供应链布局，强化国际竞争力。 创始人朱一明的战略眼光为企业发展奠定了基础。朱一明1994年毕业于清华大学物理系，在硅谷积累了丰富的芯片产业经验后，于2005年回国创办兆易创新。他敏锐地选择NOR Flash作为切入点，通过独特的双晶体管设计大幅降低芯片功耗，成功打破了外资企业的市场垄断。2008年前后，三星电子因NOR Flash业务盈利空间收窄而战略退出，飞索半导体因金融危机陷入困境，兆易创新由此获得了本土市场的发展机遇。 长鑫科技的科创板冲刺继续完善了国产存储产业生态。朱一明旗下的长鑫科技专注于DRAM芯片的研发与制造，目前正在冲刺科创板上市。兆易创新和长鑫科技形成了"设计+制造"的产业链闭环，兆易创新负责芯片设计，长鑫科技负责晶圆制造，两家企业的协同发展将进一步增强国产存储芯片的竞争力。这种产业链整合模式有助于降低成本、加快创新周期、提升市场响应速度。 业界普遍看好国产存储产业的发展前景。中银证券等机构认为，伴随人工智能驱动DRAM需求提振及国产DRAM厂商融资进程加速，国内DRAM全产业链有望实现加速成长。存储芯片作为信息产业的基础性产品，其国产化对于保障产业链安全、提升国际竞争力意义重大。
资本市场的积极反馈，折射出社会各界对国产存储能力提升的期待。把握结构性机会固然重要，更关键的是在研发、供应链与全球化能力上持续补短板、筑长板。面向更长周期，中国存储产业需要以更稳健的投入、更高效的协同和更开放的市场策略，在全球竞争中不断提升可持续创新与稳定供给的综合实力。