内存价格罕见急涨引发终端“喊贵”:供需失衡叠加产能转向,涨势或延续至下半年

一根根不起眼的内存条近期成为全球资本市场的焦点。

记者调查发现,当前DRAM内存芯片价格涨幅之大、速度之快,已远超传统避险资产黄金的表现。

以256GB的DDR5服务器内存为例,单条价格已突破4万元,一盒100根的采购成本达400万元,价值已超过上海部分房产。

这一现象引发业界广泛关注。

从市场表现看,本轮内存芯片涨价周期堪称历史罕见。

自2025年7月以来,DRAM价格持续快速上行,DDR4与DDR5内存年内涨幅已达2至3倍。

进入2026年,涨价势头非但未见缓解,反而加速推进。

记者走访上海百脑汇、昆山赛格电子市场等主要交易场所,多位从业20年以上的装机商均表示,这轮涨价幅度之大前所未有。

以主流双通道2×16GB内存为例,零售价已升至1600元左右,较2025年618活动期间的800元价格翻倍上涨。

业内分析师普遍认为,本轮周期仍未触顶。

根据集邦咨询预测,2025年第四季度各类应用DRAM合约价普遍上涨40%以上,2026年第一季度预计再涨15%以上,涨势或延续至2026年下半年。

这轮内存芯片价格飙升的根本原因在于AI产业的爆发式增长引发的结构性供需失衡。

数据显示,AI服务器对存储芯片的需求量是普通服务器的8至10倍,目前已消耗全球月产能的53%,海量高端存储需求直接挤压了消费级内存的产能分配。

与此同时,全球三大存储芯片巨头三星、SK海力士、美光在2025年加速实施产能结构调整战略。

这三家企业明确停止对DDR4的资本投入和技术迭代,计划在2025至2026年间大幅缩减DDR4产能比重,将资源集中投向HBM、DDR5等高端高毛利产品。

这一战略性收缩进一步放大了市场缺口。

HBM市场的火爆更是加剧了供应紧张局面。

2025年HBM市场规模实现爆发式增长,相关产品价格上涨超30%,三星、SK海力士等厂商的HBM产能已基本售罄,呈现"一芯难求"的局面。

在这种背景下,消费级内存市场成为被挤压的对象,供应短缺推高了价格。

从市场影响看,内存价格的快速上涨对消费者和下游产业造成直接冲击。

对于装机刚需用户而言,虽然仍需采购,但成本大幅增加。

对于非刚需用户,业内人士建议暂缓入手。

这种价格高企的局面也可能抑制个人电脑、服务器等相关产品的销售增长。

从产业链角度看,这轮涨价反映了全球芯片产业结构的深刻调整。

AI芯片需求的爆发推动了存储芯片产业向高端化、高毛利方向发展,而传统消费级市场则面临被边缘化的风险。

这种结构性变化将长期影响芯片产业的竞争格局和资源配置方式。

本轮内存价格的大幅波动,折射出全球数字经济快速发展背景下半导体产业链面临的深层挑战。

如何在技术创新、产能布局与市场稳定之间寻求动态平衡,将成为行业参与者必须面对的重要课题。

这一现象也提示我们,在推进产业升级的过程中,需要建立更加灵敏的供需预警机制,增强产业链各环节的协同应对能力。