在2024年和2025年，中国积极应对美国和日本对光刻胶供应的垄断，力求减少对进口的依赖。为了摆脱这一困境，中国把重心放在了国产光刻胶的研发和生产上。中国已经花费了超过3000亿元人民币的资金来推动半导体产业的发展，但这个过程并不容易。尽管国内在一些低端光刻胶领域实现了国产化，但在高端光刻胶领域还有很大差距。像ArF和EUV这两种先进制程必需的高端品类，中国还需要进一步突破。例如，南大光电是国内唯一实现ArF光刻胶规模化量产的企业，其产品覆盖了28纳米至7纳米制程，并通过了中芯国际的验证。南大光电还拿下了中芯国际百吨级订单，其宁波新产线一期500吨/年的产能预计将于2026年投入使用。然而，国内ArF光刻胶国产化率尚不足1%，而EUV光刻胶的国产化仍然停留在实验室阶段。不过清华大学化学系团队于2024年开发出一种基于聚碲氧烷的新型EUV光刻胶，这是一次重要的探索。然而从实验室到工厂、从“跑通”到“量产”，这条路在光刻胶领域总是漫长而艰辛。 因为每生产1万片12英寸晶圆，就需要消耗约5吨光刻胶，所以中国目前90%以上的高端光刻胶依赖进口，其中80%至90%来自日本。日本企业信越化学、JSR、东京应化三家在全球高端光刻胶市场合计拥有超过90%的份额。这个状况让中国坐立难安，因为在7纳米以下芯片所需的EUV光刻胶领域，日本一家独大，几乎垄断了全球100%的供应。这个局面在美国和荷兰也有类似的情况，美日荷三方形成了一道近乎闭合的“铁三角”封锁。 一旦断供蔓延开来，中国的芯片制造能力可能倒退五到十年，不仅先进制程受损，连汽车芯片、家电、4G基站等“平民级”应用也将受到影响。为此日本经济产业省把高端ArF和EUV光刻胶在内的12种核心半导体材料列入出口管制清单，限制向42家中国企业供应。东京应化和信越化学相继暂停了对部分中国客户的光刻胶原材料交货。 尽管国内在G线、I线等低端光刻胶领域已基本实现国产化，KrF光刻胶也在逻辑芯片、CIS图像传感器等成熟制程中取得了局部突破。但国产ArF和EUV两种先进制程必需的高端品类面临很大挑战。除了南大光电外，国内还有其他一些企业也在努力推动国产化率提升。根据分析机构预测2025至2026年间，KrF/ArF光刻胶国产化率有望突破50%。 这是一个值得鼓励的信号但放在全局中看仍属星星之火。政策信号密集释放的同时资本也在快速聚集国内已有数十家企业涉足光刻胶赛道彤程新材晶瑞电材上海新阳雅克科技等均在加速布局“十五”规划将这些前道制造材料明确列为全产业链攻关重点国产化比例预计将逐年提升上海市政府也专门出台政策支持集成电路企业在这些领域实现“全产业链突破”。 面对这种情况中国正从“单点突破”向“系统性攻关”转型这是今年两会期间业界释放出的最明确信号参加今年两会的全国人大代表徐州博成化工董事长傅志伟表示这是“加速突破和大规模应用”的关键窗口目标是在五年内实现几种核心材料量产。 系统突破还是单点冒进？这是摆在中国面前的问题：面对这场关乎芯片命运的材料争夺战每个环节都需要精密配合配方偏差可能导致整批次产品报废这种情况下任何一个步骤都不能有丝毫差错“知其然也知其所以然”的工艺秘密积累了数十年既无法用资金买到也很难通过逆向工程复现这一领域具有极高挑战性。 中国花了十年砸下逾3000亿元人民币“大基金”在这个关卡前收获依然有限从“能用”到“好用”差距仍在国产KrF/ArF/EUV等核心材料与国外产品相比还有很大差距不过这已经是很大进步接下来需要更多努力才能实现真正意义上的“好用”在晶圆厂的实际量产环境中经受得起严苛检验才算真正打通这道关。 这场争夺战既是中国芯片产业自立的必由之路也是一场没有捷径的持久战尽管困难重重但中国正在积极应对通过系统攻关和政策支持逐步减少对进口依赖最终实现自主可控随着时间推移我们有理由相信这个过程会逐步取得更多进展并最终打破美日垄断实现国产高端材料全面替代。